اعمال ميدان الكتريكي در حين انجماد يكي از جديدترين روش هاي بهسازي و ريزسازي ساختار است. به دليل مشكلات كار در دماي بالا و نيز غيرشفاف بودن فلزات، تاكنون امكان بررسي دقيق ارتباط ميدان الكتريكي با متغيرهاي رشد و تاثير آن بر مراحل انجماد ارايه نشده است. در اين اختراع، براي اولين بار در جهان، سيستمي با قابليت اعمال ميدان الكتريكي كنترل شده در حين انجماد مواد شفاف و مشاهده مستقيم رشد بلورها در آنها طراحي و ساخته شده است. اين سيستم قابليت استفاده با هر نوع ماده شفاف هادي الكتريسيته و با نقطه ذوب پايين را دارد كه در اين توصيف، نتايج كاربرد آن با سوكسينونيتريل (با نام مخفف SCN) كه يك ماده پليمري مدل شفاف، بلوري، هادي الكتريسته و خصوصيات انجمادي مشابه فلزات است، ارايه شده است. در اين اختراع ابتدا محفظه رشد تك دندريت، كه امكان رشد دندريت هاي پليمري تحت ميدان الكتريكي در آن وجود دارد، طراحي و ساخته شد. اين محفظه در يك حمام هم دما با قابليت كنترل دما نصب شده است. سيستم مجهز به منبع جريان و اهم متر براي اعمال كنترل شده جريان الكتريكي، دوربين، لنز و نرم افزار ويژه اي است كه مي تواند مراحل رشد و شكل گيري بلورها و دندريت ها را در مقياس ميكروسكوپي ثبت كند و امكان بررسي تاثير جريان الكتريكي بر متغيرهاي رشد را با استفاده از آناليز تصويري فراهم آورد.